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网曝ASML(阿斯麦)已基本完成 1nm 光刻机设计

Jimi_yoyo 发布于 03月15日 阅读 22 本文共855个字,预计阅读时间需要3分钟。

11月30日,日媒报道,由于新型冠状病毒的传播,近期日本ITF于11月18日在日本东京举行了网上发布会。

IMEC公司首席执行官兼总裁Luc Van den hove首先发表了主题演讲,介绍了公司研究概况,他强调通过与ASML公司紧密合作,将下一代高分辨率EUV光刻技术——高NA EUV光刻技术商业化。IMEC公司强调,将继续把工艺规模缩小到1nm及以下。

包括日本在内的许多半导体公司相继退出了工艺小型化,声称摩尔定律已经走到了尽头,或者说成本太高,无利可图。在日本众多光刻工具厂商纷纷退出EUV光刻开发阶段的同时,半导体研究机构IMEC和ASML一直在合作开发EUV光刻技术,而EUV光刻技术对于超细鳞片来说至关重要。

在ITF Japan 2020上,IMEC提出了3nm、2nm、1.5nm以及1nm以下的逻辑器件小型化路线图。

网曝ASML(阿斯麦)已基本完成 1nm 光刻机设计

 

上行技术节点名称下标注的PP为多晶硅互连线的节距(nm),MP为精细金属的布线节距(nm)。需要注意的是,过去的技术节点指的是最小加工尺寸或栅极长度,现在只是“标签”,并不指某一位置的物理长度。

据IMEC介绍,ASML已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计,但商业化计划在2022年左右。这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大,很有可能顶在传统洁净室的天花板下。

ASML过去一直与IMEC紧密合作开发光刻技术,但为了开发使用高NA EUV光刻工具的光刻工艺,在IMEC的园区里成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV实验室”,以促进共同开发和开发使用高NA EUV光刻工具的光刻工艺。该公司还计划与材料供应商合作开发掩模和抗蚀剂。 

Van den hove最后表示:“逻辑器件工艺小型化的目的是降低功耗、提高性能、减少面积、降低成本,也就是通常所说的PPAC。除了这四个目标外,随着小型化向3nm、2nm、1.5nm,甚至超越1nm,达到亚1nm,我们将努力实现环境友好、适合可持续发展社会的微处理器。”他表示,将继续致力于工艺小型化,表现出了极大的热情。

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